文章摘要: 由于安微變壓器廠家的di / dt和du / dt,安微變壓器廠家的所有拓?fù)湫问蕉即嬖陔姶鸥蓴_問(wèn)題。 目前,戰(zhàn)勝電磁干擾的主要技術(shù)手段是:在安微變壓器廠家的輸入和輸出端安裝無(wú)源或有源濾波器,采用軟技術(shù)和變頻控制技術(shù),設(shè)置屏蔽殼和接地。在安微變壓器廠家中,E
由于安微變壓器廠家的di / dt和du / dt,安微變壓器廠家的所有拓?fù)湫问蕉即嬖陔姶鸥蓴_問(wèn)題。 目前,戰(zhàn)勝電磁干擾的主要技術(shù)手段是:在安微變壓器廠家的輸入和輸出端安裝無(wú)源或有源濾波器,采用軟技術(shù)和變頻控制技術(shù),設(shè)置屏蔽殼和接地。
在安微變壓器廠家中,EMI的根本原因是高頻電流和電壓的急劇變化。 導(dǎo)線的導(dǎo)電以及電感和電容的耦合形成導(dǎo)電EMI。 同時(shí),電流和電壓的變化必須伴有磁場(chǎng)。 因此,電場(chǎng)的變化會(huì)造成電磁輻射。 本文著重分析變壓器中共模傳導(dǎo)EMI的機(jī)理,并在此基礎(chǔ)上,闡述了變壓器中不同屏蔽層對(duì)共模傳導(dǎo)EMI的抑制作用。
1.高頻變壓器中傳導(dǎo)EMI的產(chǎn)生機(jī)理
以反激式轉(zhuǎn)換器為例,其主電路如圖1所示。
管接通后,變壓器的初級(jí)側(cè)電流逐漸增加,磁芯的能量存儲(chǔ)也增加。 當(dāng)燈管斷開時(shí),次級(jí)側(cè)整流二極管導(dǎo)通,變壓器的存儲(chǔ)能量耦合到次級(jí)側(cè)以向負(fù)載供電。
在安微變壓器廠家中,輸入整流電流為尖峰電流。 打開和關(guān)閉轉(zhuǎn)換器時(shí),電壓和電流變化率非常高,并且這些波形包含豐富的高頻諧波。 另外,在整流二極管的主要過(guò)程和反向恢復(fù)過(guò)程當(dāng)中,電路的寄生電感和電容將在高頻下振蕩。 這些都是電磁干擾源。 如圖2所示,安微變壓器廠家中分布著大量的電容,為電磁干擾的傳遞提供了一條路徑。在圖2中,LISN是用于線路傳導(dǎo)干擾測(cè)量的線性阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)。 干擾信號(hào)通過(guò)電線,寄生電容等傳輸?shù)睫D(zhuǎn)換器的輸入和輸出端子,從而形成傳導(dǎo)干擾。 在變壓器的繞組之間也存在大量的寄生電容。
安微變壓器廠家變壓器屏蔽可抑制共模EMI
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