氮化硅陶瓷具有出色的力學(xué)性能，熱性能，化學(xué)穩(wěn)定性和介電性能。氮化硅陶瓷具有較高的室溫強(qiáng)度和斷裂韌性，熱壓燒結(jié)致密氮化硅的室溫彎曲強(qiáng)度通常為800?1050MPa，斷裂韌性為6?7MPa·m 1/2.無壓燒結(jié)和氣壓燒結(jié)的氮化硅陶瓷的機(jī)械性能略低。通過SiC晶須進(jìn)行增韌可以改善氮化硅陶瓷的斷裂韌性和強(qiáng)度。熱壓燒結(jié)氮化硅的室溫強(qiáng)度可以保持在800℃以上，但是當(dāng)溫度高于1000℃時(shí)，在晶界處具有玻璃態(tài)的氮化硅陶瓷的機(jī)械性能會大大下降。 氮化硅硬度高，HV = 18?21GPa，HRA = 91?93.摩擦系數(shù)低(0.02?0.35)，自潤滑能力強(qiáng)。

　　氮化硅的熱膨脹系數(shù)小，致密氮化硅陶瓷的線性膨脹系數(shù)約為3.3 * 10-6 /℃，它具有良好的導(dǎo)熱性和良好的抗熱震性，從室溫到1000°C的熱沖擊不會破裂，氮化硅具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，可被除氫 氟酸以外的所有無機(jī)酸腐蝕，弱堿腐蝕和有色金屬熔體腐蝕，氮化硅陶瓷既可以在室溫下也可以在高溫下。 室溫下干燥介質(zhì)中的電阻率為10-15?10-16Ω.m，氮化硅陶瓷拋光后具有金屬光澤。

　　焙燒過程對氮化硅陶瓷的性能有重要影響，作為非氧化物陶瓷，Si3N4是擴(kuò)散系數(shù)低且難以燒結(jié)的共價(jià)鍵結(jié)合的化合物，通常通過添加燒結(jié)助劑，例如MgO，Y2O3.Al2O3.AlN等，在高溫下形成液相，加壓(熱壓，大氣壓或熱等靜壓)或化學(xué)反應(yīng)以促進(jìn)燒結(jié)，反應(yīng)燒結(jié)方法簡單，燒結(jié)收縮小，成本低。適用于制造結(jié)構(gòu)復(fù)雜，尺寸精度高，耐高溫，耐腐蝕和電絕緣的結(jié)構(gòu)零件，但機(jī)械性能較差，可以通過重新結(jié)合來改善氮化硅陶瓷的性能。