半導(dǎo)體存儲器是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器, 內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。下面小編為大家詳細介紹半導(dǎo)體存儲器的相關(guān)常識。

半導(dǎo)體存儲器內(nèi)存的工作原理：

內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作。

具體的工作過程是這樣的：

一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢驗，若電量大于滿電量的1／2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。

半導(dǎo)體存儲器的分類:

半導(dǎo)體存儲器是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。

按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）

RAM包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當(dāng)關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。

ROM主要用于BIOS存儲器。按其制造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。按其存儲原理可分為：靜態(tài)和動態(tài)兩種。

半導(dǎo)體存儲器的主要性能指標(biāo):

有兩個主要技術(shù)指標(biāo)；存儲容量和存取速度

1、存儲容量

存儲容量是半導(dǎo)體存儲器存儲信息量大小的指標(biāo)。半導(dǎo)體存儲器的容量越大，存放程序和數(shù)據(jù)的能力就越強。

2、存取速度

存儲器的存取速度是用存取時間來衡量的，它是指存儲器從接收CPU發(fā)來的有效地址到存儲器給出的數(shù)據(jù)穩(wěn)定地出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上所需要的時間。存取速度對CPU與存儲器的時間配合是至關(guān)重要的。如果存儲器的存取速度太慢，與CPU不可匹配，則CPU讀取的信息就可能有誤。

3、存儲器功耗

存儲器功耗是指它在正常運轉(zhuǎn)時所消耗的電功率。通常，半導(dǎo)體存儲器的功耗和存取速度有關(guān)，存取速度越快，功耗也越大。因此，在保證存取速度前提下，存儲器的功耗越小越好。

4、可靠性和工作壽命

半導(dǎo)體存儲器的可靠性是指它對周圍電磁場、溫度和濕度等的抗干擾能力。由于半導(dǎo)體存儲器常采用VLSI工藝制造，可靠性較高，壽命也較長，平均無故障時間可達數(shù)千小時。

5、集成度

半導(dǎo)體存儲器的集成度是指它在一塊數(shù)平方毫米芯片上可以集成的晶體管數(shù)目，有時也可以每塊芯片上集成的“基本存儲電路”個數(shù)來表征。

通過以上介紹，對半導(dǎo)體存儲器也是有著很好認識，感謝你停下寶貴的時間來欣賞小編的文章，想了解更多相關(guān)常識請繼續(xù)關(guān)注我們資訊哦。

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