? 隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的要求也越來越高，不僅體積縮小，準(zhǔn)確度也要不斷提高。

　　因此，半導(dǎo)體整理工程也需要不斷完善。特別是在晶圓切割過程當(dāng)中，例如切割時(shí)，要減少半導(dǎo)體邊緣破裂的危險(xiǎn)，減少廢物。為此，切削葉片須越來越薄，對(duì)葉片的剛度和硬度要求越來越高。目前正在不斷開發(fā)高密度晶片，以便為單位晶片獲得更多半導(dǎo)體元件。因此，工作條件越來越嚴(yán)格。晶圓地板的材料硬度高，一般刀片難以切割，因此應(yīng)考慮金剛石刀片。使用鉆石刀片時(shí)，刀刃會(huì)晃動(dòng)和振動(dòng)，內(nèi)部應(yīng)力大，會(huì)發(fā)生變形，刀刃的壽命不高。另外，在現(xiàn)有切割過程當(dāng)中，使用一次性穿透切割，半導(dǎo)體晶片的邊緣破裂，產(chǎn)品的良品率下降。

　　因此，為了戰(zhàn)勝上述缺點(diǎn)，須提供優(yōu)化的晶圓切割方法。

　　技術(shù)實(shí)施要素：

　　目的是提供一種優(yōu)化的晶圓切割方法，以減少切割時(shí)晶片的變形，提高半導(dǎo)體收率，提高切割葉片的壽命。

　　為了達(dá)到這一目的，本發(fā)明的晶圓切割方法如下。

　　提供具有相對(duì)一、二表層的晶片。

　　晶片上所述第二表層附著有保護(hù)膠。

　　切割從所述一表層的預(yù)定位置向所述二表層的方向形成第一凹槽，切割深度小于所述晶片的總深度。而且在所述一表層的預(yù)定位置，在所述二表層的方向上，一切削形成第一凹槽，切削深度小于所述晶片的總深度。

　　與傳統(tǒng)的首次穿透性切割相比，通過在晶圓的不同表層進(jìn)行第二次切割，可以避免半導(dǎo)體晶圓的切割邊緣破裂，提高收率，從而避免刀片變形，提高刀片壽命。

　　作為一種更好的方法，所述晶體的第一表層附著有相應(yīng)的保護(hù)膠。

　　更好，保護(hù)膠是UVB膠。

　　在更好的情況下，所述首要切割的切割深度是所述晶片整體深度的一半。

? 芯片晶圓切割機(jī)是主軸轉(zhuǎn)速約在30，000 ~ 60，000rpm之間的非常精密的設(shè)備，由于顆粒和晶粒之間的間隙小(約2mil，1mil=1/1000英寸)，顆粒相當(dāng)脆弱，所以精度相當(dāng)高(3m為205毫米)，如果用碾磨的方式切割，會(huì)產(chǎn)生很多小碎屑。除上述幾點(diǎn)外，整個(gè)芯片切割機(jī)過程當(dāng)中要注意的事項(xiàng)還相當(dāng)多。例如，顆粒完全分割，但不可承載的膠帶須切割，切割時(shí)不可沿著顆粒和晶粒之間的切割線脫離，切割后不可引起晶粒的崩塌或開裂。為了解決其中的許多問題，將各種自動(dòng)檢測(cè)、自動(dòng)調(diào)整和自動(dòng)清洗設(shè)備應(yīng)用于機(jī)器，以減少切割時(shí)出現(xiàn)的錯(cuò)誤造成的損失。