? ? ? 原子層沉積系統(tǒng)是在加熱的襯底上連續(xù)引入至少兩個(gè)蒸汽前驅(qū)體源，當(dāng)表層飽和時(shí)，化學(xué)吸附自動(dòng)終止。合適的工藝溫度會(huì)阻礙分子在表層的物理吸附?；驹訉映练e周期包括四個(gè)步驟:脈沖a、清洗a、脈沖B和清洗B..重復(fù)沉積循環(huán)，直到獲得所需的膜厚度，這是制造納米結(jié)構(gòu)以形成納米器件的工具。

　　原子層沉積系統(tǒng)可以升級(jí)為簡(jiǎn)單明了地使用等離子體，從而將等離子體和熱集成在同一個(gè)緊湊的設(shè)備中。開放式樣品裝載，集成等離子體技術(shù)。

　　原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)包括:

　　1.原子層沉積系統(tǒng)通過(guò)控制反應(yīng)循環(huán)次數(shù)，可控制薄膜厚度，從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜；

　　2.由于前驅(qū)體被化學(xué)吸附飽和，保證生成大面積均勻薄膜；

　　3.原子層沉積系統(tǒng)優(yōu)異的三維共形化學(xué)計(jì)量膜可作為納米多孔材料的階梯覆蓋和涂層；

　　4.原子層沉積系統(tǒng)可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物；

　　5.薄膜生長(zhǎng)可以在低溫(室溫至400℃以下)下進(jìn)行；

　　6.原子層沉積系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于各種形狀的基材；

　　7.原子層沉積系統(tǒng)生長(zhǎng)的金屬氧化物薄膜可用于柵電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示絕緣體、電容器電介質(zhì)和微機(jī)電系統(tǒng)器件，生長(zhǎng)的金屬氮化物薄膜適用于擴(kuò)散阻擋層。

　　原子層沉積系統(tǒng)敏感基板

　　遠(yuǎn)程等離子體源可以在低溫下工作

　　過(guò)程開發(fā)和改進(jìn)的實(shí)時(shí)監(jiān)控

　　原子層沉積系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)RTM原位診斷實(shí)現(xiàn)單ALD循環(huán)高分辨率。優(yōu)點(diǎn)是確定ALD范圍，減少加工時(shí)間和總生產(chǎn)成本。橢偏儀、QCM和質(zhì)量管理系統(tǒng)的原位診斷也是我們?cè)訉映练e系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。

　　簡(jiǎn)單的空腔清理

　　定期清理反應(yīng)室對(duì)于穩(wěn)定且可重復(fù)的原子層沉積系統(tǒng)過(guò)程至關(guān)重要。借助于用于清理原子層沉積系統(tǒng)的提升裝置，可以容易地打開反應(yīng)室。

　　一體式手套箱

　　原子層沉積系統(tǒng)設(shè)備與各種供應(yīng)商的手套箱兼容。

　　多腔集成

　　原子層沉積系統(tǒng)可以作為多腔系統(tǒng)的一個(gè)模塊。我們的原子層沉積系統(tǒng)可以與蝕刻設(shè)備結(jié)合用于工業(yè)應(yīng)用。可選的多腔系統(tǒng)還具有盒到盒裝載的特色。

　　原子層沉積系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD薄膜多層結(jié)構(gòu)的交替沉積。熱ALD和等離子體增強(qiáng)ALD可以通過(guò)同一反應(yīng)室中的快門來(lái)切換。