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K1B10直流開關(guān)電源模塊
K1B10直流屏高頻充電模塊，K1B10直流屏高頻整流模塊，K1B10直流屏開關(guān)電源模塊，K1B10直流屏蓄電池充電模塊，K1B10直流屏浮充模塊，K1B10轉(zhuǎn)換模塊，K1B10直流屏智能通信模塊 產(chǎn)品型號：K1B10 輸出額定值：10A/220V 電壓變化范圍：220V±15% 電壓調(diào)節(jié)范圍：180V-286V 遙面議2025-03-07 -
半導(dǎo)體特性測試儀IV曲線掃描儀
半導(dǎo)體特性測試儀IV曲線掃描儀認準普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?；詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用面議2025-02-27 -
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力； 測量精度高,全量程下可達0.03%精度； 內(nèi)置標準器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便； 自動實時參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)； 在CV和IV測量之間快速切換而無需重面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀
SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料面議2025-02-27 -
MEMS氣體傳感器測試系統(tǒng)
通常，氣體傳感器 I-V 特性測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復(fù)雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。而且，使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更面議2025-02-27 -
汽車電流傳感器標定測試設(shè)備
汽車電流傳感器標定測試設(shè)備簡介 電流傳感器測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，單臺大電流源電流可高達1000A。該系統(tǒng)可測量不同電流傳感器的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極面議2025-02-27 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表面議2025-02-27 -
高精度源表IV測試憶阻器直流特性
憶阻器基礎(chǔ)性能研究測試 憶阻器件的評估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進行測量。 直流l-V特性測試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵會面議2025-02-27 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應(yīng)管等。 直流 I-V 測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲線，來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測參數(shù)各不相面議2025-02-27 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實驗平臺
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實驗平臺特色： 1、外觀簡潔緊湊集成度高 2、通用開放型儀表平臺 以數(shù)字源表(SMU)為核心，覆蓋所有材料器件的直流特性測試；示波器、信號源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動態(tài)參數(shù)測試實驗。 3、模塊化設(shè)計實驗夾具盒 4、引入集面議2025-02-27 -
功率mos管電性能分析IV測試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適面議2025-02-27 -
led漏電流測試高精度源表
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過對LED電特性的測試，可以獲得對應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測試電流，或者加電流測試電壓面議2025-02-27 -
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源，并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。可以限定電壓或電流輸出大小，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量面議2025-02-27 -
GaN HEMT器件特性測試儀
GaN HEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。GaN HEMT器件特性測試儀就找普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 基于普賽斯S/CS系列源表的直流l-V特性測試系統(tǒng) 基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓面議2025-02-27 -
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
為應(yīng)對各行各業(yè)對IGBT的測試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁面議2025-02-27 -
KV級高壓電源3500V高壓程控電源
E系列KV級高壓電源3500V高壓程控電源特點和優(yōu)勢： 十ms級的上升沿和下降沿； 單臺最大3500V的輸出； 0.1%測試精度； 同步電流或電壓測量； 支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試； 應(yīng)用領(lǐng)域： 用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充面議2025-02-27 -
PL202型脈沖式直流電源
PL202型脈沖式直流電源特點和優(yōu)勢： 超窄至1us的脈沖； 大到30A的脈沖電流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 豐富的軟件接口； PL202型脈沖式直流電源應(yīng)用 醫(yī)療、美容激光器，典型波長為808nm等 光纖、固體激光器的泵浦源，典型波長為53面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件IV+CV測試儀
半導(dǎo)體器件IV+CV測試儀認準普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?，詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢：面議2025-02-27 -
led&二極管反向漏電流測試設(shè)備
led&二極管反向漏電流測試設(shè)備測試項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降面議2025-02-27 -
二極管&led反向擊穿電壓測試設(shè)備
二極管&led反向擊穿電壓測試設(shè)備具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六； 二極管&面議2025-02-27
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