武漢周邊電氣網(wǎng)信息
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led漏電流測(cè)試高精度源表
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過對(duì)LED電特性的測(cè)試,可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)及漏電流(Ir)等參數(shù),以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端,加電壓測(cè)試電流,或者加電流測(cè)試電壓面議2025-02-27 -
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源,并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍,全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量面議2025-02-27 -
PL202型脈沖式直流電源
PL202型脈沖式直流電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì): 超窄至1us的脈沖; 大到30A的脈沖電流; 最大300A/us上升速度; 兼容CW和QCW模式; 豐富的軟件接口; PL202型脈沖式直流電源應(yīng)用 醫(yī)療、美容激光器,典型波長為808nm等 光纖、固體激光器的泵浦源,典型波長為53面議2025-02-27 -
硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備
硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì) 高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV) 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1%精度測(cè)量 模塊化配置面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)
普賽斯半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2025-02-27 -
精密電流源直流源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2025-02-27 -
igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀
普賽斯igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表,普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),對(duì)標(biāo)美國2400,B2901;可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行,提高測(cè)試效率;支持四象限工作,測(cè)量范圍廣,電壓高至300V,電流低至10pA;支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告;5寸觸摸顯示屏面議2025-02-27 -
數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
系統(tǒng)方案 普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上。 進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí),通常在電容兩端施加直流偏壓,同時(shí)利用一個(gè)交流信面議2025-02-27 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中,電性能測(cè)試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升,微電子工藝逐漸復(fù)雜,如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國產(chǎn)化數(shù)字源表SMU,為進(jìn)一步打通測(cè)試融合壁壘,打造閉環(huán)解決方案,通過對(duì)半導(dǎo)體高面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀
實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、率先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品,集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體??勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其面議2025-02-27 -
電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀
電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反(或輔助)電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測(cè)量,然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS,使E為希望的電位值,這時(shí)使用萬用表測(cè)量流入WE的電流I。之后面議2025-02-27 -
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A
普賽斯PMST功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A,主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
SPA-6100半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀+功率器件測(cè)試設(shè)備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和面議2025-02-27 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡述: 作用: 主要應(yīng)用于VCSEL激光器、大功率LED的測(cè)試 功能: 實(shí)現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測(cè)試 特點(diǎn): (1)超窄脈沖大電流電流加電,能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測(cè)試需要; (2)支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測(cè)試的系統(tǒng)解決方案; (3面議2025-02-27 -
二極管反向漏電流測(cè)試國產(chǎn)源表
普賽斯二極管反向漏電流測(cè)試國產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等,具有安全可靠等面議2025-02-27 -
PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)
普賽斯PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定、面議2025-02-27 -
16路激光器老化測(cè)試系統(tǒng)
16路激光器老化測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn) 單抽屜最多支持16路8抽屜; 各通道互相獨(dú)立; 電流回讀,同步自動(dòng)測(cè)量電壓、光功率等數(shù)據(jù); 加熱膜加熱,溫控范圍:室溫~125℃; 電源抗浪涌設(shè)計(jì); 收光裝置水冷; 絕對(duì)精度±1℃,不同DUT溫度均勻性±2℃; 老化數(shù)據(jù)自動(dòng)記面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體特性曲線儀iv+cv測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體特性曲線儀iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 典型應(yīng)用: 納米、柔性等材料特性分析; 二極管; MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;面議2025-02-27 -
漏電流 開短路測(cè)試 電氣特性測(cè)試數(shù)字源表
數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負(fù)載,支持四象限功能,可提供恒流測(cè)壓及恒壓測(cè)流功能,可簡化芯片電性能測(cè)試方案。 在生產(chǎn)和老化測(cè)試時(shí),往往要求在同一時(shí)間內(nèi)完成對(duì)多個(gè)DUT的測(cè)試,或者在單個(gè)DUT上異步或者同步地運(yùn)行多個(gè)測(cè)試任務(wù)。基于普賽斯C面議2025-02-27 -
P系列脈沖源表IV測(cè)試激光器芯片
PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)30A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者面議2025-02-27 -
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國產(chǎn)電流源
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國產(chǎn)電流源優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源,并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍,全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量,更面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高面議2025-02-27 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺(tái)式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%,可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料面議2025-02-27
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