武漢周邊儀器/儀表信息
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功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)+CV測(cè)試儀
系統(tǒng)方案 普賽斯功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)+CV測(cè)試儀主要由源表、LCR表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上。 進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí),通常在電容兩端施加直流偏壓,同時(shí)利用一面議2025-04-08 -
LIV光電特性測(cè)試脈沖恒流源
LIV光電特性測(cè)試脈沖恒流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,廠(chǎng)家直銷(xiāo),服務(wù)完善,詳詢(xún)一八一四零六六三四七六;PL系列脈沖電流源是針對(duì)大功率激光器LIV測(cè)試而研制的,觸摸顯示屏全圖形化操作,高靈敏度寬帶光功率檢測(cè),內(nèi)置LIV測(cè)試軟件加速用戶(hù)完成測(cè)試,具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流面議2025-04-08 -
半導(dǎo)體特性曲線(xiàn)測(cè)試儀IV曲線(xiàn)掃描儀
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2025-04-08 -
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
普賽斯半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六面議2025-04-08 -
功率器件功能高壓測(cè)試模塊
E系列功率器件功能高壓測(cè)試模塊特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì): 十ms級(jí)的上升沿和下降沿; 單臺(tái)最大3500V的輸出; 0.1%測(cè)試精度; 同步電流或電壓測(cè)量; 支持程控恒壓測(cè)流,恒流測(cè)壓,便于掃描測(cè)試;詳詢(xún)一八一四零六六三四七六; 部分參數(shù) 最大輸出功率:350W,3500V面議2025-04-08 -
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀1200V/100A
SPA-6100國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試;SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助面議2025-04-08 -
大電流電源3000A電流源
普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和面議2025-04-08 -
E系列功率器件功能高壓測(cè)試模塊
武漢普賽斯儀表有限公司,是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品,專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試,提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。 未來(lái),普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案,以更優(yōu)面議2025-04-08 -
旁路二極管熱性能測(cè)試脈沖電流源
熱斑效應(yīng):太陽(yáng)能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來(lái)。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋,將被當(dāng)作負(fù)載消耗其他有光照的太陽(yáng)電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽(yáng)電池組件此時(shí)會(huì)嚴(yán)重發(fā)熱而受損。旁路二極管是指并聯(lián)于太陽(yáng)能電池板正負(fù)極兩端之間的二極管,面議2025-04-08 -
apd暗電流測(cè)試數(shù)字源表
在A(yíng)PD的光電特性中,暗電流是一個(gè)重要的參數(shù)。暗電流是指在沒(méi)有光照射的情況下,APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對(duì)產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流,暗電流測(cè)試的準(zhǔn)確性對(duì)于評(píng)估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進(jìn)行APD暗電流測(cè)試時(shí),通常面臨如下挑戰(zhàn):測(cè)試環(huán)境影響、連接面議2025-04-08 -
二三極管iv測(cè)試儀iv曲線(xiàn)掃描儀
半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類(lèi)型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等;以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:SiC.GaN半導(dǎo)體功率器件。面議2025-04-08 -
高電壓大電流功率器件測(cè)試機(jī)
普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和面議2025-04-08 -
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表 實(shí)時(shí)測(cè)試多種材料在同-環(huán)境條件下的電阻值的反應(yīng)靈敏; 在低電壓下進(jìn)行下高范圍跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的電阻測(cè)量,測(cè)試設(shè)備輸入電阻要求高; I/N曲線(xiàn)掃描; 上位機(jī)實(shí)時(shí)顯示各不同壓敏電阻R/t曲線(xiàn),并可記錄存檔。 S系列源表+上位機(jī)軟件面議2025-04-08 -
1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200
SPA-6100型1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料研究、面議2025-04-08 -
DC參數(shù)測(cè)試iv掃描源表
芯片測(cè)試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過(guò)對(duì)待測(cè)器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測(cè),區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、分離器件好壞的過(guò)程。其中直流參數(shù)測(cè)試是檢驗(yàn)芯片電性能的重要手段之一,常用的測(cè)試方法是FIMV(加電流測(cè)電壓)面議2025-04-08 -
分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀
SPA-6100分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料研究、半面議2025-04-08 -
高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備
PMST系列高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì),精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGB面議2025-04-08 -
SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸? 實(shí)驗(yàn)一:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)二:四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)三: MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)四:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)五:激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)六:太陽(yáng)能電面議2025-04-08 -
CV測(cè)試系統(tǒng)_CV測(cè)試儀_提供0V~3500V偏壓范圍
CV測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上,內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件,包含C-V(電容-電壓),C-T(電容-時(shí)間),C-F(電容-頻率)等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能;詳面議2025-04-08 -
電流-導(dǎo)通電壓掃描測(cè)試脈沖電源300A大電流源
普賽斯HCPL030系列高電流脈沖電源為脈沖恒流源,產(chǎn)品具有輸出脈沖邊沿陡(10μs)、測(cè)試效率高(40ms,外部控制繼電器)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。單臺(tái)輸出電流300A,支持至少六臺(tái)以上多設(shè)備并聯(lián)測(cè)量。設(shè)備主要針對(duì)晶圓測(cè)試,可用于300A面議2025-04-08 -
8000V半導(dǎo)體測(cè)試高壓程控電源
高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高(8000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~8000V,輸出及測(cè)量電流0~40mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。設(shè)備可應(yīng)用于IGBT擊穿電壓測(cè)試、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測(cè)面議2025-04-08 -
電流響應(yīng)時(shí)間測(cè)試脈沖電源
普賽斯HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15us)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)面議2025-04-08 -
IC電氣特性測(cè)試數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2025-04-08 -
GaN SiC三代半功率器件測(cè)試設(shè)備
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng),是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬面議2025-04-08 -
半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng);通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí),還占面議2025-04-08 -
電流脈沖電源1μs窄脈寬
PL系列窄脈沖LV測(cè)試系統(tǒng)是為大功率激光器LV測(cè)試而研制的,大功率激光器使用直流或者寬脈沖加電時(shí)發(fā)熱嚴(yán)重,而激光器特性受溫度影響非常大,直流或?qū)捗}沖下的測(cè)試結(jié)果并不能反映器件特性。 PL系列產(chǎn)品具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流大、支持脈沖光峰值功率檢測(cè)、支持激面議2025-04-08 -
IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表
IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠(chǎng)家武漢普賽斯儀表,普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性?xún)r(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,詳詢(xún)一八一四零六六三四七六;普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠(chǎng)家,產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善,對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2651面議2025-04-08 -
wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀
SPA-6100wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材面議2025-04-08 -
igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備
普賽斯igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢(xún)18140663476 測(cè)試項(xiàng)目 集面議2025-04-08 -
晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表
武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,Y秀的性?xún)r(jià)比,良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持,集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作S系列源表 應(yīng)用 分立器件特性測(cè)試:電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、面議2025-04-08 -
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線(xiàn)掃描儀
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線(xiàn)掃描儀優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢(xún)一八一四零六六三四七六; 產(chǎn)品特點(diǎn): 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力; 測(cè)量精度高,全量程下可面議2025-04-08 -
大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀
普賽斯分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)面議2025-04-08 -
高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DPX00B雙通道高精度臺(tái)式脈沖源表是在單通道脈沖臺(tái)式源表基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,單通道最大輸出電壓達(dá)300V,最大脈沖輸出電流達(dá)30A,支持四象限工作,2個(gè)通道可獨(dú)立或組合工作。 DPX00B雙面議2025-04-08 -
半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀
SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料面議2025-02-27 -
功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適面議2025-02-27 -
led漏電流測(cè)試高精度源表
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱(chēng)為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電特性的測(cè)試,可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)及漏電流(Ir)等參數(shù),以及相應(yīng)的I-V曲線(xiàn)。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端,加電壓測(cè)試電流,或者加電流測(cè)試電壓面議2025-02-27
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