半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測試設(shè)備
武漢普賽斯儀表有限公司
2025-04-08 15:30:46
普賽斯半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六;




普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。
“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測量
nA級漏電流, μΩ級導(dǎo)通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等




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