洪山儀器/儀表信息
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半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀
半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀優(yōu)勢(shì) 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào)； 高精度、大動(dòng)態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%； 內(nèi)置CV測(cè)試：內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時(shí)間），C-F（電容-頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能; 兼容IV測(cè)試：同時(shí)面議2025-04-08 -
霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快面議2025-04-08 -
大功率igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
普賽斯大功率igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率面議2025-04-08 -
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀CV+IV曲線掃描儀
SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀CV+IV曲線掃描儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研面議2025-04-08 -
晶體管iv圖示儀分立器件檢測(cè)儀
晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，是一種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開(kāi)關(guān)常用；包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管（后三者均為三端子）等。晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模面議2025-04-08 -
KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源
E系列KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 十ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3500V的輸出； 0.1%測(cè)試精度； 同步電流或電壓測(cè)量； 支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試； 應(yīng)用領(lǐng)域： 用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充面議2025-02-27 -
二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備
二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六； 二極管&面議2025-02-27 -
pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 源表特點(diǎn)： 多面議2025-02-27 -
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)面議2025-02-27 -
直流3A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬(wàn)用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間；實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備高電壓+大電流
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。 利用數(shù)面議2025-02-27 -
場(chǎng)效應(yīng)MOS管特性曲線測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見(jiàn)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。 輸入/輸出特性測(cè)試 針對(duì)1A以下的MOSFET器件，推薦2臺(tái)S系 列源表搭建測(cè)試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測(cè)試的需求。 針對(duì)Z大電流為面議2025-02-27 -
三極管反向擊穿電壓測(cè)試SMU數(shù)字源表
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數(shù)也不同，針對(duì)1A以面議2025-02-27 -
CTMS-1000A霍爾電流傳感器測(cè)直流電流平臺(tái)
CTMS-1000A霍爾電流傳感器測(cè)直流電流平臺(tái)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達(dá)到50A/us面議2025-02-27 -
射頻器件頻率特性測(cè)試SMU源表
GaNHEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。 頻率特性測(cè)試 射頻器件的頻率參數(shù)測(cè)試包含小信號(hào)S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測(cè)量。其中,S參數(shù)測(cè)試描述了RF器件在不同頻率下和對(duì)于信號(hào)的不同面議2025-02-27
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