高導熱氮化硅陶瓷基板共價鍵結(jié)構(gòu)，熱的傳遞機制為聲子傳熱。氮化硅陶瓷燒結(jié)提復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，對聲子的散射較大，使常用氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件產(chǎn)品熱導率偏低。然而通過配方設(shè)計和燒結(jié)工藝優(yōu)化等方法，目前高導熱氮化硅陶瓷在不損失力學性能的前提下，熱導率可以達到80-100W/（m·K）.從熱導率的角度，似乎氮化硅陶瓷與氮化鋁陶瓷還存在差距。但是陶瓷基片在半導體封裝中是以陶瓷覆銅板的形式使用的，氮化硅陶瓷基板優(yōu)異的力學性能，使其可以涂覆更厚的金屬銅。此外氮化硅陶瓷覆銅板還具有更好的安培容量。由此可見氮化硅陶瓷是綜合了散熱性、可靠性和電性能好的半導體絕緣基片材料，未來的應(yīng)用前景十分廣闊。

而且我國目前中國全球?qū)?/span>高導熱氮化硅陶瓷基板用于公司實際進行生產(chǎn)發(fā)展電子控制器件的只有東芝、京瓷和羅杰斯等少數(shù)管理公司。商用氮化硅陶瓷基片的導熱率一般在56-90W/（m·K）。以日本東芝集團公司為例，截止2016年已占領(lǐng)全球70％的氮化硅基片市場經(jīng)濟份額，據(jù)報道其氮化硅陶瓷基片產(chǎn)品已用于研究混合學習動力電池汽車/純電動新能源汽車金融市場環(huán)境領(lǐng)域。

目前，全球半導體電子器件進行技術(shù)都朝著一個更高的電壓，更大的電流和更大的功率密度研究方向不斷發(fā)展。這種變化趨勢推動者寬禁帶半導體在不久的將來可以迅速的替代硅。高的功率和使用網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的負責工程力學性，對封裝結(jié)構(gòu)材料的付款可靠性提出來問題及其嚴苛的要求。通過分析氮化硅陶瓷基片是集高導熱率，高可靠性于一身的綜合應(yīng)用性能達到佳的基片材料，高導熱氮化硅陶瓷基板必將是未來中國半導體器件陶瓷基片的發(fā)展經(jīng)濟趨勢，并為三代半導體的發(fā)展提供更加堅實的材料科學基礎(chǔ)。

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