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寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2面議2025-02-27 -
寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評(píng)估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（I-V測(cè)試）、頻率特性（小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試）、功率特性（Load-Pull測(cè)試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來(lái)評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測(cè)試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對(duì)研發(fā)人員設(shè)計(jì)器面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)
普賽斯半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2025-02-27 -
光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表
光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電面議2025-02-27 -
光電二極管性能測(cè)試精密源表
光電探測(cè)器光電測(cè)試 光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件測(cè)試儀IV曲線儀
半導(dǎo)體器件測(cè)試儀IV曲線儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢18140663476；普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案? S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、多功能面議2025-02-27 -
精密電流源直流源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2025-02-27 -
功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率器件測(cè)試設(shè)備
普賽斯功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率器件測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 單臺(tái)Z大3500V輸出； 單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A； 15us的超快電流上升沿； 同步測(cè)量； 國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試； 可定制夾具； nA級(jí)電流和uΩ級(jí)電阻測(cè)量； 測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備IV曲線掃描儀器
眾所周知，半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備IV曲線掃描儀器應(yīng)用的專業(yè)領(lǐng)域十分廣泛，分別有：微電子、集成電路、物理與電子工程、航空航天、材料科學(xué)與工程、材料與能源、電子科學(xué)與工程、光電信息與能源工程等等等... 數(shù)字源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾面議2025-02-27 -
電參數(shù)測(cè)量多合一數(shù)字源表
分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬(wàn)用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過(guò)多測(cè)面議2025-02-27 -
igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀
普賽斯igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如面議2025-02-27 -
pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 源表特點(diǎn)： 多面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備參數(shù)分析源表
半導(dǎo)體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導(dǎo)體元器件，用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中，是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)化控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣面議2025-02-27 -
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)面議2025-02-27 -
直流30A大電流數(shù)字源表
HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六； 應(yīng)用 ?納米材面議2025-02-27 -
SMU電流模塊
SMU電流模塊認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、多功能面議2025-02-27 -
功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀
普賽斯功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如面議2025-02-27 -
壓力傳感器測(cè)試儀
通常，壓力傳感器Ⅳ特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。而且，使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，對(duì)標(biāo)美國(guó)2400，B2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率；支持四象限工作，測(cè)量范圍廣，電壓高至300V，電流低至10pA；支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告；5寸觸摸顯示屏面議2025-02-27 -
數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
系統(tǒng)方案 普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上。 進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信面議2025-02-27 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測(cè)試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)一步打通測(cè)試融合壁壘，打造閉環(huán)解決方案，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體高面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀
實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、率先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體?？勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其面議2025-02-27 -
電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀
電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反（或輔助）電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測(cè)量，然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS，使E為希望的電位值，這時(shí)使用萬(wàn)用表測(cè)量流入WE的電流I。之后面議2025-02-27 -
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A
普賽斯PMST功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
SPA-6100半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀+功率器件測(cè)試設(shè)備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和面議2025-02-27 -
低壓型數(shù)字源表
數(shù)字源表現(xiàn)廣泛用于半導(dǎo)體器件特性測(cè)試中，省錢省地，節(jié)約測(cè)試臺(tái)空間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了大動(dòng)態(tài)測(cè)試范圍，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體，普賽斯源表相對(duì)于進(jìn)口源表，測(cè)試范圍更廣，價(jià)格更便宜！最大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流達(dá)100pA，支持四象限工作；SXXB系列面議2025-02-27 -
直流3A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬(wàn)用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間；實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表面議2025-02-27 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡(jiǎn)述: 作用: 主要應(yīng)用于VCSEL激光器、大功率LED的測(cè)試 功能： 實(shí)現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測(cè)試 特點(diǎn)： （1）超窄脈沖大電流電流加電，能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測(cè)試需要； （2）支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測(cè)試的系統(tǒng)解決方案； （3面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具，接線簡(jiǎn)單、方便操作。 利用數(shù)字源表簡(jiǎn)化半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備高電壓+大電流
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。 利用數(shù)面議2025-02-27 -
場(chǎng)效應(yīng)MOS管特性曲線測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。 輸入/輸出特性測(cè)試 針對(duì)1A以下的MOSFET器件，推薦2臺(tái)S系 列源表搭建測(cè)試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測(cè)試的需求。 針對(duì)Z大電流為面議2025-02-27 -
三極管反向擊穿電壓測(cè)試SMU數(shù)字源表
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數(shù)也不同，針對(duì)1A以面議2025-02-27 -
二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
普賽斯二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，只允許電流從單一方向流過(guò)。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等面議2025-02-27 -
憶阻器IV測(cè)試脈沖恒壓源CP系列
CP系列脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測(cè)量；支持多設(shè)備觸發(fā)實(shí)現(xiàn)器件的脈沖IV掃描等；支持輸出脈沖時(shí)序（如延遲、脈寬、周期等參數(shù)變量等）調(diào)節(jié)，可輸出復(fù)雜曲線。主要特點(diǎn)有：面議2025-02-27 -
PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)
普賽斯PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定、面議2025-02-27
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