B39361X6966M100濾波器信號調節(jié)器,信號調器
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北京友盛興業(yè)科技有限公司
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Qualcomm/RF360濾波器
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楊勇剛
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產品 | SAW Filters | 產品種類 | 信號調節(jié) |
制造商 | Qualcomm RF360 | 加工定制 | |
安裝 | SMD/SMT | 工廠包裝數量 | 1 |
總頻差 | 1PPMMHz | 最大工作溫度 | + 125 C |
最小工作溫度 | - 40 C | 端接類型 | SMD/SMT |
系列 | B39 | 繞線形式 | |
調整頻差 | 負載電容 | ||
頻率 | 315 MHz to 2.4 GHz | 頻率范圍 | 315 MHz to 2.4 GHz |
B39361X6966M100濾波器信號調節(jié)器,信號調器
新型體聲波濾波器
目前市面上的體聲波濾波器基本上基于多晶薄膜工藝。而初創(chuàng)公司Akoustis Technologies, Inc.
發(fā)明的Bulk ONE? BAW技術是采用單晶AlN-on-SiC諧振器,據稱性能能夠提升30%。
Akoustis技術公司(前稱為Danlax,Corp.)是根據美國內華達州法律于2013年4月10日注冊成立,
總部設在北卡羅來納州的亨茨維爾。2015年4月15日,公司更名為Akoustis技術公司。2017年
3月,登陸納斯達克。
目前Akoustis已經宣布推出了三款商用濾波器產品:第一款是用于三頻WiFi路由器應用的商
用5.2 GHz BAW RF濾波器;第二款是針對雷達應用的3.8 GHz BAW RF濾波器;第三款AKF
-1652是針對未來4G LTE和5G移動設備5.2 GHz BAW RF濾波器
封裝微型化濾波器
濾波器的封裝微型化主要是指的是采用晶圓級封裝技術。
Qorvo的CuFlig互聯技術使用銅柱凸點代替線焊。晶圓級封裝濾波器取消了陶瓷封裝,可以實
RF360公司DSSP(Die-Sized SAW Packaging,裸片級聲表封裝)和TFAP技術(Thin-Film
Acoustic Packaging,薄膜聲學封裝技術),實現了產品微型化,并可提供2in1,甚至4in1的
濾波器模組?,F尺寸更小,設備更輕薄。
不同產品類別的新的標準封裝尺寸:雙工器1.8mm*1.4mm,2in1濾波器:1.5mm*1.1mm,
單一濾波器:1.1mm*0.9mm。
射頻前端集成化模塊化
國際大廠一直致力于射頻前端的集成化及模塊化,比如高通RF360方案;Murata將濾波器、
RF開關、匹配電路等一體化的模塊;Qorvo RF Fusion解決方案等。
高通POP3D設計采用先進的3D封裝技術,單一封裝內集成了單芯片多模功率放大器和天線開
關(AS),并將濾波器和雙工器集成到一個單一基底中,然后將基底置于基礎組件之上,整
合成一個單一的“3D”芯片組組合,從而降低了整體的復雜性,摒棄了當今射頻前端模塊中
常見的引線接合。
Qorvo RFFusion解決方案包含三種模塊化解決方案,實現高、中、低頻段頻譜區(qū)域全覆蓋。
各模塊都集成了功率放大器 (PA)、開關和濾波器。


Qualcomm與RF360率先發(fā)布支持體聲波和表面聲波濾波射頻前端
2018年2月27日,巴塞羅那——Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)
子公司Qualcomm Technologies, Inc.和Qualcomm與TDK的合資企業(yè)RF360控股
新加坡有限公司(“RF360控股公司”)率先發(fā)布一款包含最新體聲波(BAW)和
表面聲波(SAW)濾波技術的六工器射頻解決方案,支持最佳的性能、尺寸和成本
,以應對日益復雜的頻率、頻段組合。全新的六工器解決方案完善了我們的濾波器、
雙工器和多工器產品線,可應對運營商部署的各種載波聚合配置,在其擴展千兆級
LTE覆蓋、提升速度與網絡容量時增強用戶體驗。通過在Qualcomm Technologies
功率放大器模組中簡化對載波聚合的支持,全新的解決方案可幫助OEM廠商改善產
品設計尺寸、提高產品設計成本效率,幫助廠商加速產品的全球上市時間,讓OEM
廠商從中受益。對消費者而言,六工器解決方案的低插入損耗可支持長電池續(xù)航和
出色的數據傳輸速率。
隨著智能手機達到千兆級LTE速率,手機中蜂窩頻段的數量也在迅速增加以提供支持。
為了在廣泛的頻率頻段上支持載波聚合、同時管理干擾問題并提供卓越的無線電性能,
先進的濾波技術是必需的。全新的六工器解決方案可集成在包括雙工器模組在內的功
率放大器模組(PAMiD)中,并為下一代PAMiD模組提供關鍵的聲學構建模塊?;?br /> 于BAW和SAW的六工器是前代四工器的升級,通過在千兆級LTE和未來的5G多模終
端中支持面向載波聚合的、極具競爭力的射頻性能,它們將成為設計具備輕薄外形的
單天線終端的關鍵。
Qualcomm高級副總裁兼射頻前端業(yè)務總經理Christian Block表示:“隨著人們對數
據速率和網絡容量永無止境的需求,以及載波聚合復雜性的不斷攀升,OEM廠商和運
營商在滿足消費者對于頂級聯網用戶體驗的期望上面臨著挑戰(zhàn)。Qualcomm Technol
ogies和RF360控股的六工器解決方案集成了我們最新的BAW/SAW濾波技術,旨在激
發(fā)設計靈活性的同時提供最佳的性能。”


在通信設備中,射頻信號處理單元負責信號的發(fā)送與接收,包含射頻收發(fā)器、天線、
射頻前端等。其中,射頻前端由一系列組件構成,包含功率放大器(PA)、濾波器
(Filters)、開關(Switch)、雙工器(Diplexer/Duplexer,由 2 個濾波器組成)、
低噪聲放大器(LNA) 等,分別對應不同的射頻信號處理功能,本篇將就射頻關鍵
器件濾波器進行專題分析。
一、定義及功能
射頻濾波器又名“射頻干擾濾波器”,是消費電子中必不可缺的重要元器件之一。射
頻濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路,主要負責對通信通道中的信號頻率
進行濾波。濾波器允許符合特定頻率的信號通過,同時抑制其他不需要的頻率信號,
可解決不同頻段和通信系統之間產生的信號干擾問題,廣泛應用于基站和終端設備的
射頻信號處理系統中。從射頻信號處理系統的布局來看,在射頻發(fā)射路徑中,濾波器
位于功率放大器的后側;在射頻接收路徑中,濾波器位于低噪聲放大器的前側。
射頻前端的信號傳輸路徑分為發(fā)射通道和接收通道,(1)發(fā)射通道路徑為“基帶芯片
- 射頻收發(fā)模塊-開關-PA-濾波器/雙工器-開關-天線-信號”;(2)接收通道路徑為“
信號- 天線-開關-濾波器/雙工器-LNA-開關-射頻收發(fā)模塊-基帶芯片”。
二、關鍵性能指標
射頻濾波器性能的優(yōu)劣直接影響通訊系統的通信質量。Q 值、帶寬、阻帶抑制度、插入
損耗、延遲時間等是衡量濾波器性能的指標。其中,Q 值和插入損耗是選擇濾波器的最
常用、最主要的性能指標。
三、濾波器分類
聲學濾波器是目前手機應用的主流濾波器,可分為聲表濾波器(SAW 濾波器)和體聲
波濾波器(BAW 濾波器)。按照射頻濾波器的應用場景和材料工藝兩個方向進行分類:
(一)按應用場景分類
射頻濾波器在無線通信終端的基站市場和手機市場應用最多,因此按照應用場景分類,
濾波器可分為通信基站濾波器和手機濾波器。不同應用場景對濾波器的要求不同,因此
手機濾波器與基站濾波器的體積、制造工藝、適用寬帶、成本、功率容量等特征存在明
顯差異?;緸V波器更注重高穩(wěn)定性、大帶寬、大功率等指標,而手機濾波器對價格、
體積(手機射頻濾波器尺寸為毫米級別,基站射頻濾波器為厘米級別)更為敏感。
基站射頻濾波器主要分為金屬腔體濾波器(應用于2G-4G時代基站,應用率達95,產
業(yè)鏈成熟,適用于低頻通信)和介質濾波器(使用5G基站建設小型化和輕量化需求,
是5G 基站的新風口),對應的制造工藝分別是金屬精密加工和介質燒結;手機射頻濾
波器主要為聲波濾波器,包含SAW、TC-SAW、BAW、FBAR等,對應的制造工藝為半
導體制造工藝。
(二)按工藝材料分類
射頻濾波器可分為聲學濾波器、晶體濾波器、陶瓷濾波器,其中聲學濾波器(SAW、
BAW)是目前手機應用的主流濾波器。根據技術不同,聲學濾波器又可分為聲表濾波
器(SAW 濾波器)和體聲波濾波器(BAW 濾波器)兩種。其中,SAW 濾波器產品包
括普通的SAW、具有溫度補償特性的TC-SAW 濾波器及高頻 I.H.P-SAW;BAW濾波器
產品包括BAW-SMR 和FBAR。
四、SAW 濾波器
SAW 濾波器采用半導體平面工藝制作,具有良好的一致性和重復性,并可實現低成本
批量生產。一般的 SAW 濾波器由壓電材料襯底和兩個 IDT 交叉環(huán)能器構成。IDT 交叉
換能器是由交叉排列的金屬電極組成,左側 IDT 將電信號轉成聲波,右側 IDT 將聲波轉
成電信號。IDT 能把電信號轉換成聲波主要是因為其下方壓電襯底產生壓電效應,其中
SAW 濾波器的壓電材料一般采用濾波器常用的壓電材料有鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(
LiNbO3)、二氧化硅(SiO2)等。
(一)工作原理
SAW 濾波器的基本原理是在輸入端通過壓電效應將電信號轉為聲信號在介質表面上傳播,
而在輸出端由逆壓電效應將聲信號轉為電信號。對于 SAW,也叫 Rayleighsurface wave,
既有縱波也有橫波。固體中粒子以橢圓軌跡震動,橢圓的長軸垂直于固體表面,隨著固體
深度越深,粒子運動幅度越小。
穿過基板表面的聲波(在固體材料中,交替的機械形變會產生3,000 至12,000 米/ 秒速度
的聲波)移動的速度慢于任一端上 IDT 的電氣速度。而穿過基板的波發(fā)生的延遲在接收端
的 IDT 處相結合,產生極高品質因數(Q 值可達數千)的駐波,進而產生了有限沖激響應
(FIR)濾波器響應。通過調整穿過基板的行進距離和 IDT 指的尺寸,可改變沖激響應。而
這就決定了帶寬、中心頻率、類型和其他因素。
SAW的頻率基本可以參考公式:F=V/λ,其中 V 是 SAW 的速率,大約為 3100m/s,λ是
IDT 電極間距。從公式可以看出 SAW濾波器的頻率與 IDT 電極間距成反比,頻率越高,IDT
電極間距越小。在 IDT 小間距下,電流密度太大會導致電子遷移和發(fā)熱問題,所以 SAW濾波
器不太適合 2.5GHz 以上的頻率。SAW 濾波器對溫度變化也敏感,性能隨溫度升高而變差,
溫度升高時,基片材料的剛度變小,聲波速度變小。溫度補償濾波器(TC-SawFilter)就是為了
改善濾波器的溫度性能,在 IDT 上增加保護涂層改善其溫度特性,使其在溫度升高時,剛度增
加,改善溫度特性的同時也會使得濾波器成本上升。
2)確認收貨前請仔細核驗產品質量,避免出現以次充好的情況。
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