真空鍍膜機主要是指一種需要在高真空下進行的鍍膜，包括多種，包括真空離子蒸發(fā)、磁控濺射、MBE分子束外延、PLD激光濺射沉積等。主要思路分為蒸發(fā)和濺射。

一、真空鍍膜電機控制柜操作

1、開啟水泵、氣源

2.打開主電源

3.打開維護泵和真空計的電源，并將真空計保持在V1位置。等到它的值小于10，然后繼續(xù)下一個操作。大約需要5分鐘。

4.啟動機械泵，預泵，啟動渦輪分子泵，并將真空計切換到V2。大約需要20分鐘，直到泵小于2。

5.觀察渦輪分子泵讀數(shù)達到250后，關泵，打開前置發(fā)動機和高閥繼續(xù)抽真空，然后打開右邊的高真空計觀察抽真空到一定程度后的真空度。直到真空度達到2×10-3才能接通電子槍電源。

二.真空鍍膜DEF-6B電子槍電源柜的操作

1、總電源

2.同時打開電子槍控制一和電子槍控制二的電源:按下電子槍控制一的電源和延時開關，延時、電源和保護燈將打開。三分鐘后，延遲和保護燈將關閉。如果后門沒有準確關閉或水流繼電器有故障，保護燈將一直打開。

3.高壓開啟時，高壓將達到10KV以上，束流可調(diào)節(jié)到200毫安左右，幕柵為20V/100毫安，燈絲電流為1.2A，偏轉(zhuǎn)電流在1-1.7之間擺動。

第三，真空鍍膜關機順序

1.關閉真空計和分子泵。

2.當分子泵達到50時，依次關閉閥門、前級和機械泵，大約需要40分鐘。

3.當?shù)陀?0時，關閉維護泵。

真空鍍膜機的工作原理如下:

在鍍膜領域，真空鍍膜后薄膜樣品的厚度是影響薄膜性能的重要因素。因此，在評估薄膜樣品的性能時，有必要測試不同厚度下薄膜樣品的性能。在真空鍍膜的情況下，往往需要多次準備樣品。但是這么多次制備樣品有兩個問題:第一，對于不同時間生長的樣品，儀器的狀態(tài)是不同的，所以影響薄膜樣品性能的因素可能不僅僅是厚度；其次，在真空鍍膜實驗中加載樣品時，再次獲得真空是非常耗時的。和檢測成本增加。

因此，真空鍍膜提供了一種多功能磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，該系統(tǒng)由真空鍍膜系統(tǒng)和手套箱系統(tǒng)集成，可以在高真空蒸發(fā)室中完成薄膜蒸發(fā)，并在手套箱的高純度惰性氣體氣氛中儲存和制備樣品以及對蒸發(fā)后的樣品進行檢測。蒸發(fā)涂層與手套箱相結(jié)合，使薄膜生長和器件制備的整個過程高度集成為一個環(huán)境氣氛可控的完整系統(tǒng)，消除了有機大面積電路制備過程當中大氣環(huán)境中不穩(wěn)定因素的影響，保證了高性能大面積有機光電器件和電路的制備。

真空鍍膜該多功能磁控濺射鍍膜系統(tǒng)主要用于制備各種金屬薄膜、半導體薄膜、介質(zhì)薄膜、磁控薄膜、光學薄膜、超導薄膜、傳感薄膜以及有特殊要求的功能薄膜。