碳化硅線切割方法，涉及碳化硅晶體的技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有碳化硅線切割方法方法成本高、效率低、表層粗糙的技術(shù)問(wèn)題。根據(jù)碳化硅結(jié)晶結(jié)晶結(jié)構(gòu)決定劈開(kāi)方向或平面的工序：根據(jù)碳化硅結(jié)晶的樣品的大小和形狀決定切斷所需的軌跡的工序、使用特殊的加工工序在軌跡上制作一定深度的槽的工序、對(duì)制作的槽的位置施加力的工序、使碳化硅結(jié)晶急速熱兩面碳化硅的小單晶。 兩面碳化硅的小單晶。 作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的成員的碳化硅(sic )材料與通常的硅(si )或砷化鎵(gaas )半導(dǎo)體材料相比，具有寬帶隙、高載流子飽和移動(dòng)速度、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等多個(gè)基于這些優(yōu)異的性能，碳化硅是高溫電子器件、高頻大功率器件的理想材料。下面就來(lái)了解一下碳化硅線切割方法技術(shù)。

　　2.7 為高硬度(莫氏硬度9.3 )，碳化硅極為重要且穩(wěn)定，在空氣中可提高1000的耐高溫性。 另外碳化硅材料有200多種晶型，每種方法都有不同的物理化學(xué)結(jié)構(gòu)性質(zhì)，顏色略有不同，混入不同的雜質(zhì)和雜質(zhì)時(shí)，碳化硅顏色更加豐富多彩。 因此碳化硅晶體也必須非常適合制作寶石。

　　碳化硅在晶體生長(zhǎng)過(guò)程當(dāng)中，容易存在孿晶、多晶、多態(tài)性、微管、碳膜、六方晶等各種缺點(diǎn)。 這些缺點(diǎn)對(duì)碳化硅襯底的質(zhì)量有一定的影響，但對(duì)后續(xù)外延片和器件的產(chǎn)率和穩(wěn)定性也有一定的影響。 為了抑制缺點(diǎn)的形成，需要對(duì)缺點(diǎn)進(jìn)行相應(yīng)的檢驗(yàn)和分析，得出相應(yīng)的解決方案。 因此，缺點(diǎn)部分的采樣需要準(zhǔn)確的位置和光滑的表層，便于檢測(cè)和分析。

　　但目前碳化硅晶體主要采用碳化硅線切割方法，在所需位置獲得樣品，并對(duì)切割后的粗糙表層進(jìn)行機(jī)械拋光。 為了得到比較光滑的縱向截面，整體工藝耗時(shí)、加工工序多、成本高后得到的碾磨面仍然不理想。 一種碳化硅線切割方法，其特征在于，包括：根據(jù)結(jié)晶結(jié)構(gòu)決定特定的碳化硅結(jié)晶的劈開(kāi)方向或劈開(kāi)面的和根據(jù)該結(jié)晶結(jié)構(gòu)決定特定的碳化硅結(jié)晶的劈開(kāi)方向或劈開(kāi)面的，根據(jù)應(yīng)加工碳化硅結(jié)晶的樣品的尺寸和形狀，決定應(yīng)切斷的軌跡，使用特定的加工工藝，在所決定的軌跡上形成一定深度的槽，對(duì)所形成的槽的位置施加力，實(shí)施急速熱處理，進(jìn)行根據(jù)權(quán)利要求所述碳化硅晶體的切斷方法，其中碳化硅晶體包含六方晶鋅礦結(jié)構(gòu)這兩種結(jié)構(gòu)的多態(tài)性a文章長(zhǎng)度。

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