硅片切割目前基本都是采用線切割的方法，加入SiC切割液，Si和SiC都是無毒的，但是一般硅錠會(huì)摻雜P、B、As等元素得到需要的硅片，所以切割廢液和廢芯片都有一定的毒性，但是毒性很低，因?yàn)殡s質(zhì)含量是切割iC硅片(晶圓)所用的非常非常低的工藝制成的?；蛘咛柲芫懈?，因?yàn)橛幸恍﹫D形是由銅、鈦、鎳、鈷等制成的。在硅片切割通道中，而硅片本身也摻雜有P、B、As等。所以晶圓切割時(shí)，有可能會(huì)加入切削液。

現(xiàn)在光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，發(fā)展迅速。硅片產(chǎn)能的快速增長必然造成硅片切削液需求的增加。但是，硅片切削液的問題依然突出，主要表現(xiàn)在以下五個(gè)方面：

1.硅片切割后表層TTV大，有絲痕：因?yàn)榍懈顣r(shí)硅片會(huì)脆裂或劃傷，影響硅片表層的粗糙度和翹曲，造成加工后硅片總厚度出現(xiàn)偏差。

2.耐酸耐腐蝕：由于硅片切割設(shè)備在酸性環(huán)境下會(huì)生銹腐蝕，質(zhì)量差的切削液會(huì)加劇腐蝕程度，所以如何防腐蝕防銹是判斷硅片切削液質(zhì)量的關(guān)鍵。

3.使用年限短：目前硅片切割液中使用的很多添加劑質(zhì)量較差，不利于切割后的清洗，從而縮短了碳化硅線的使用年限。

4.氫氣產(chǎn)生：硅片粉末在切割過程當(dāng)中，由于粒徑過細(xì)，與水反應(yīng)會(huì)釋放出氫氣，長期生產(chǎn)積累會(huì)造成安全隱患。

5.生產(chǎn)成本高：目前很多切削液由于技術(shù)和使用方法的限制，無法循環(huán)使用，無形中增加了公司的運(yùn)營成本。由于這五個(gè)問題的客觀存在，很多硅片廠家陷入了困境。如果不可及時(shí)解決這個(gè)問題，不僅會(huì)嚴(yán)重影響生產(chǎn)，還會(huì)制約公司的長遠(yuǎn)發(fā)展。