功率特性	大功率	型號	齊全
封裝形式	功率型	封裝材料	陶瓷封裝
材料	硅	結構	平面型
頻率特性	中頻

PRX二極管R9G21412充電設備服務周到

整流二極管常用參數：
1、大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A；
2、高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V；
3、大反向電流IR：它是二極管在高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好；
4、擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值；
5、高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關電源中；
6、反向恢復時間trr：指在規(guī)定的負載、正向電流及大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復時間；
7、零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發(fā)生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變?yōu)樾∮?00uA。

整流二極管的根本構造是 PN 結 （ P 型半導體和 N 型半導體聯(lián)系后 ， 在兩者的聯(lián)系而構成一個很薄的空間電荷區(qū)，這就是PN結）。在 PN 結的空間電荷內 ，電子元件勢能發(fā)生了變化 ，電子要從 N 區(qū)到 P 區(qū)有必要越過一個能量高坡 （ 通常稱為勢壘） ，因而又把空間電荷區(qū)稱為勢壘區(qū) 。當PN結加正向電壓時，勢壘降低，呈現低電阻，具有較大的正向分散電流，稱該狀況為正導游通狀況。當PN結加反向電壓時，勢壘增加，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流 ，稱該狀況為反向阻斷狀況 ，此刻 PN 結處于反向偏置狀況。

整流二極管是面觸摸型二極管，結面積較大，能接受較大的正向電流和較高的反向電壓，功能比較穩(wěn)定，首要用在把溝通電變換成直流電的整流電路中。整流二極管的結電容較大 ，因而它不宜作業(yè)在高頻電路中 。整流二極管用半導體或硅等資料制成 ，具有顯著的單導游電性。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫功能杰出。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制作（摻雜較多時簡單反向擊穿）。整流二極管有金屬和塑料兩種封裝。整流二極管的首要技術參數包含大整流電流 、大反向作業(yè)電壓、反向飽和電流高作業(yè)頻率及反向恢復時間等 。

一）普通二極管的檢測（包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關二極管、續(xù)流二極
管）是由一個PN結構成的半導體器件，具有單向導電特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻
值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。
1．極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個
結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反
向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是
二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。
2．單負導電性能的檢測及好壞的判斷通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電
阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5 kΩ左右，反向電阻值為∞（無窮大）。正向電阻
越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向導電特性越好
?！∪魷y得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內部已擊穿短路或
漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。
3．反向擊穿電壓的檢測二極管反向擊穿電壓（耐壓值）可以用晶體管直流參數測試表測量。
其方法是：測量二極管時，應將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設置為NPN狀態(tài)，再將被測二極管
的正極接測試表的“C”插孔內，負極插入測試表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”鍵，測
試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值?！∫部捎谜讱W表和萬用表來測量二極管的反向擊穿
電壓、測量時被測二極管的負極與兆歐表的正極相接，將二極管的正極與兆歐表的負極相連，
同時用萬用表（置于合適的直流電壓檔）監(jiān)測二極管兩端的電壓。如圖4-71所示，搖動兆歐表
手柄（應由慢逐漸加快），待二極管兩端電壓穩(wěn)定而不再上升時，此電壓值即是二極管的反向
擊穿電壓。

早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個

PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，

晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間

電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流

和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。
晶體二極管，簡稱二極管（diode）；它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個

零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質。晶體

二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有

自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引

起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)

二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可
各種二極管的符號
各種二極管的符號
分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極

管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關二極管

、旋轉二極管等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管

。點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲

一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個“PN結”。由于是點接觸，只允許通過
貼片二極管
貼片二極管
較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極

管的“PN結”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直

流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而

且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。