北京集成電路硅片激光鉆孔微小孔加工
200元2022-11-22 08:14:13
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| 產(chǎn)地 | 北京 | 分類 | 硅片切割 |
| 切割加工最小縫隙 | 0.05mm | 加工厚度范圍 | 0.1--2mm |
| 加工方式 | 激光切割 | 品牌 | HE |
| 微信號 | 13011886131 | 服務(wù)范圍 | 全國 |
| 硅片大小加工范圍 | 300mm | 聯(lián)系人 | 張經(jīng)理 |
北京集成電路硅片激光鉆孔微小孔加工
硅片的分類：
硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；單晶生長方法：單晶硅片、多晶硅片；摻雜類型：N型、P型等參量和用途來劃分種類。
1.激光切割、劃片是非機械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。
2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對芯片的電性影響較小，可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。
4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。
5.激光可以切割一些較為復雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。
6.激光切割不需要去離子水，不存在刀具磨損問題，可連續(xù)24小時作業(yè)。
7.激光具有很好的兼容性，對于不同的晶圓片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。
超薄硅片打孔是一項非常精細的工序，因為硅片較薄，打孔的時候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實行激光打孔。其特點是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);
激光切割技術(shù)集光學、精密機械、電子技術(shù)和計算機技術(shù)于一體，于傳統(tǒng)方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圓利用率高；3、非接觸式加工，適合薄基圓；4、自動化程度高，任意圖形切割。目前激光切割技術(shù)可以應(yīng)用于切割硅片、低k材料、發(fā)光二極管襯底、微機電系統(tǒng)和薄膜太陽能電池等光電及半導體材料。
晶圓（Wafer）是指硅半導體集成電路制作所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓是生產(chǎn)集成電路所用的載體，一般意義晶圓多指單晶硅圓片。
晶圓是最常用的半導體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格，近來發(fā)展出12英寸甚至研發(fā)更大規(guī)格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等）。
半導體晶圓片切割的非晶硅單晶硅多晶硅,半導體晶圓片切割，氮化鎵,銅銦鎵硒，碲化鎘,等多種基材的精細切割鉆孔，蝕刻，微結(jié)構(gòu),打標和改片切圓異形皆可,厚度-般不超過半導體晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式承接0.05mm-2mm各種激光切割、開孔鉆孔、劃線、開槽、刻圖形字體，各種透光材質(zhì)都可做，價格優(yōu)惠打孔厚度0.1mm-40mm最小孔徑0.05mm最大孔徑90mm尺寸公差 ≥±0.02mm。
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