產(chǎn)地	北京	分類	硅片切割
切割加工最小縫隙	0.05mm	加工厚度范圍	0.1--2mm
加工方式	激光切割	品牌	HE
微信號(hào)	13011886131	服務(wù)范圍	全國(guó)
硅片大小加工范圍	300mm	聯(lián)系人	張經(jīng)理

北京智能傳感器硅片切盲槽小孔加工

硅片激光加工設(shè)備的應(yīng)用：
激光劃片機(jī)主要用于金屬材料及硅、鍺、砷化鎵和其他半導(dǎo)體襯底材料劃片和切割,可加工太陽(yáng)能電池板、硅片、陶瓷片、鋁箔片等,工件精細(xì)美觀,切邊光滑。采用連續(xù)泵浦聲光調(diào)Q的Nd:YAG激光器作為工作光源，由計(jì)算機(jī)控制二維工作臺(tái)，能按輸入的圖形做各種運(yùn)動(dòng)。輸出功率大，劃片精度高，速度快，可進(jìn)行曲線及直線圖形切割。

傳統(tǒng)機(jī)械加工硅片的劣勢(shì)：
傳統(tǒng)硅片切割方式是機(jī)械切割，速度慢、斷面平整性差、碎片多、不環(huán)保。硅是一種脆性材料，機(jī)械切割極易使邊緣產(chǎn)生破裂，造成硅表面彈性應(yīng)變區(qū)、位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)區(qū)和碎晶區(qū)的組成層損傷，甚至可能造成隱形裂紋，影響電性參數(shù)等危害。激光切割技術(shù)具有無(wú)接觸、無(wú)機(jī)械應(yīng)力、切縫寬度小、斷面平整光滑、精度高、速度快、性能穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)；

晶圓是半導(dǎo)體產(chǎn)品與芯片的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的激光應(yīng)用工藝將會(huì)越來(lái)越多被發(fā)明出來(lái)，對(duì)于高精密的芯片產(chǎn)品，非接觸的光加工是最合適的方式。因此激光晶圓（硅片）切割的應(yīng)用會(huì)越來(lái)越多。

1.激光切割、劃片是非機(jī)械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。
2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對(duì)芯片的電性影響較小，可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。
4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。
5.激光可以切割一些較為復(fù)雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。
6.激光切割不需要去離子水，不存在刀具磨損問(wèn)題，可連續(xù)24小時(shí)作業(yè)。
7.激光具有很好的兼容性，對(duì)于不同的晶圓片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。

激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問(wèn)題。激光隱形切割是通過(guò)將脈沖激光的單個(gè)脈沖通過(guò)光學(xué)整形，讓其透過(guò)材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點(diǎn)區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng)，使得材料改性形成裂紋。每一個(gè)激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個(gè)改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過(guò)拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機(jī)械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術(shù)可應(yīng)用于藍(lán)寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導(dǎo)體晶圓。

超薄硅片打孔是一項(xiàng)非常精細(xì)的工序，因?yàn)楣杵^薄，打孔的時(shí)候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達(dá)到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級(jí)，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實(shí)行激光打孔。其特點(diǎn)是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);