產(chǎn)地	北京	分類	硅片切割
切割加工最小縫隙	0.05mm	加工厚度范圍	0.1--2mm
加工方式	激光切割	品牌	HE
微信號(hào)	13011886131	服務(wù)范圍	全國(guó)
硅片大小加工范圍	300mm	聯(lián)系人	張經(jīng)理

智能傳感器硅片切割微小孔來(lái)圖定制

傳統(tǒng)機(jī)械加工硅片的劣勢(shì)：
傳統(tǒng)硅片切割方式是機(jī)械切割，速度慢、斷面平整性差、碎片多、不環(huán)保。硅是一種脆性材料，機(jī)械切割極易使邊緣產(chǎn)生破裂，造成硅表面彈性應(yīng)變區(qū)、位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)區(qū)和碎晶區(qū)的組成層損傷，甚至可能造成隱形裂紋，影響電性參數(shù)等危害。激光切割技術(shù)具有無(wú)接觸、無(wú)機(jī)械應(yīng)力、切縫寬度小、斷面平整光滑、精度高、速度快、性能穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)；

晶圓是半導(dǎo)體產(chǎn)品與芯片的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的激光應(yīng)用工藝將會(huì)越來(lái)越多被發(fā)明出來(lái)，對(duì)于高精密的芯片產(chǎn)品，非接觸的光加工是最合適的方式。因此激光晶圓（硅片）切割的應(yīng)用會(huì)越來(lái)越多。

激光屬于無(wú)接觸式加工，不對(duì)晶圓產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力的作用，對(duì)晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點(diǎn)，聚焦點(diǎn)可小到微米數(shù)量級(jí)，從而對(duì)晶圓的微處理更具有優(yōu)越性，可以進(jìn)行小部件的加工；即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效地進(jìn)行材料加工。大多數(shù)材料吸收激光直接將硅材料氣化，形成溝道。從而實(shí)現(xiàn)切割的目的因?yàn)楣獍唿c(diǎn)較小，最低限度的炭化影響。

超薄硅片打孔是一項(xiàng)非常精細(xì)的工序，因?yàn)楣杵^薄，打孔的時(shí)候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達(dá)到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級(jí)，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實(shí)行激光打孔。其特點(diǎn)是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);

隨著硅半導(dǎo)體集成電路的廣泛應(yīng)用，硅半導(dǎo)體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進(jìn)行切割，在晶圓上劃分出若干個(gè)圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體。或者采用的是非均勻圓環(huán)、同一圓心角內(nèi)進(jìn)行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來(lái)的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個(gè)方向的位置、精度高、全自動(dòng)運(yùn)行，對(duì)晶圓切割的位置進(jìn)行準(zhǔn)確定位，切割出來(lái)的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應(yīng)性強(qiáng)，可以避免薄晶圓因切割破裂

晶圓是制造IC的基本原料，而晶圓便是硅元素加以純化，接著將這些純硅制成長(zhǎng)硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，再經(jīng)過(guò)照相制版、研磨、拋光、切片等程序，將多晶硅融解后拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。