介子分析儀	SY-8219	品牌	Agilent/安捷倫
工作溫度	常溫	顯示方式	數(shù)字式
晶體管	CS-3100	類型	多參數(shù)測(cè)試儀

二手儀器價(jià)格閑置儀器設(shè)備MOS-FET圖示儀

二手CS3200日本IWATSU CS-3300半導(dǎo)體特性曲線圖示儀，
半導(dǎo)體特性曲線圖示儀！適用于二極管，晶體管 IGBT，場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET， 可控硅 SCR，達(dá)林頓陣列，光電耦合，壓變電阻 VARISTOR，繼電器 RELAY 等半導(dǎo)體器件反向 恢復(fù)特性，短路特性，雪崩測(cè)試，結(jié)電容/電阻測(cè)試，漏電參數(shù)，擊穿參數(shù)，增益參數(shù)，導(dǎo) 通參數(shù)，混合參數(shù)，電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 特性測(cè)試。

測(cè)量頻率：10Hz 至 10MHz （SY-8218），10Hz 至 1MHz （SY-8219）
應(yīng)用波形：正弦波、方波（10Hz~1MHz）
最大輸入電流：±6A
最大輸入電壓：±200V
勵(lì)磁方法：自動(dòng)勵(lì)磁

（最大磁場(chǎng)、最大磁通密度、最大勵(lì)磁電流、最大感應(yīng)電壓指定）
乘以衰減交變磁場(chǎng)，以免留下殘留磁化而減磁
規(guī)格
項(xiàng)目規(guī)格

產(chǎn)品功能
電子電力元件或器件測(cè)試波形特性的功能顯示 (附圖)
配備選件 CS-603A (3kV) 或 CS-605A (5kV), 可實(shí)現(xiàn)電子電力器件如SiC和GaN等的電容測(cè)試
在3kV (CS-603A)/5 kV (CS-605A) 作自動(dòng)與掃描電容測(cè)試
曲線圖示儀的測(cè)試適配器可用于各種器件封裝類型
測(cè)試參數(shù)包括:
Cies, Ciss (輸入電容)
Coss (輸出電容)
Cres, Crss (反向傳輸電容)
Ct (端子間的電容)
Cgs, Cge/Cgd, Ccg/Cds, Cce (已計(jì)算)
Rg (柵極電阻)
可實(shí)行晶圓和芯片上的電容測(cè)試 (探針臺(tái)和選件CS-603A/CS-605A)
具有外部聯(lián)鎖功能的恒溫箱高低溫試驗(yàn)
與電腦全自動(dòng)化的完美結(jié)合

CS-810控制加熱板. 盡管測(cè)試需要很長(zhǎng)的時(shí)間 (如溫度測(cè)試), 仍可自動(dòng)執(zhí)行 (附圖)
痠勞測(cè)試
在痠勞測(cè)試中可以包含各種各樣的參數(shù). CS-810 軟件支持長(zhǎng)時(shí)間可靠性測(cè)試. 通過(guò)曲線圖示CS-810監(jiān)察電壓和電流, 那些曲線的區(qū)別能被記錄下來(lái). 痠勞測(cè)試可以實(shí)現(xiàn)多種參數(shù)的自動(dòng)測(cè)量. 偏置會(huì)停止超越電流或電壓的限制值并以此設(shè)定為下限和上限的極限值. CS-810 軟件測(cè)量 Ic 或 Vce (區(qū)間: 10s 至 2h) 和保持一定的電壓或電流 (10s 至 1,000h) (附圖)
與探針臺(tái)共用時(shí), 可實(shí)現(xiàn)晶圓測(cè)試 (附圖)
標(biāo)準(zhǔn)配件
CS-301: CS-3100標(biāo)配測(cè)試臺(tái)S
CS-302: CS-3200和CS-3300標(biāo)配測(cè)試臺(tái)M
CS-303: CS-5100, CS-5200和CS-5300標(biāo)配測(cè)試臺(tái)M
CS-304: CS-5400標(biāo)配測(cè)試臺(tái)M
測(cè)試臺(tái)M專用快裝面板: CS系列標(biāo)配快裝面板 (除CS-3100外)
CS-500: CS-3100, CS-3200, CS-3300, CS-5100, CS-5200, CS-5300, CS-5400標(biāo)配測(cè)試端口轉(zhuǎn)接夾具
CS-005: CS系列標(biāo)配標(biāo)準(zhǔn)線套裝(除CS-3100外)
CS-006: CS-5400標(biāo)配20cm高電流電纜 (2條)
CS-007: CS-10400, CS-10800, CS-12800, CS-15800標(biāo)配30cm 高電流電纜 (2條)
LAN接口
USB接口
操作手冊(cè)
環(huán)路校正 測(cè)試臺(tái)的集電極引腳與接地之間的雜散電容由高電壓模式下的硬件提供補(bǔ)償，還可提供數(shù)字補(bǔ)償。
大電流模式（脈沖） -
zui大峰值電流 zui大峰值電壓
400 A 40 V
40 A 40 V
zui大峰值電流 zui大峰值電壓
1000 A 40 V
400 A 40 V
40 A 40 V
脈沖寬度/測(cè)量點(diǎn) - 脈沖寬度可在50 - 400 μs范圍內(nèi)變化。
可以測(cè)量點(diǎn)（分辨率為10 μs/步進(jìn)）。
數(shù)據(jù)點(diǎn)上限 每次跟蹤可以20 - 1000個(gè)點(diǎn)。
階梯信號(hào)發(fā)生器
電流模式 幅度范圍：50 nA - 200 mA，共21個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5
zui大電流：±2A/偏移：步進(jìn)幅度設(shè)置的±10倍
電壓模式 幅度范圍：50 mV - 2 V，共6個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5
zui大電壓：±40V/偏移：步進(jìn)幅度設(shè)置的±10倍
步進(jìn)率 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍
（AC模式下為50 Hz或60 Hz） 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍（AC模式下為50 Hz或60 Hz）
脈沖：脈沖變化范圍為80ms - 1000 ms。
（zui低頻率受zui大峰值功耗設(shè)置限制。）
脈沖步進(jìn) 脈沖寬度可在50μs - 400 μs范圍內(nèi)變化（分辨率為10μs）。
AUX輸出
范圍 關(guān)閉，-40V - +40 V，按100mV分辨率變化
垂直軸
集電極電流 范圍 高電壓模式：1 μA/div - 2 A/div，共20個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5。
- 高電流模式：100 mA/div - 50 A/div，共9個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5。
高電流模式：100 mA/div - 100 A/div，共10個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5。

精度 2%讀數(shù) + 0.05 × VERT/div設(shè)置值或更低（下面的內(nèi)部環(huán)路校正錯(cuò)誤必須加至左邊的公式中。）
3 kV范圍：6 μA、300 V 范圍：1 μA, 30 V 范圍：0.5 μA（僅針對(duì)各電壓范圍面積的10%或以上。）
發(fā)射極電流（泄漏） 范圍 1 nA/div - 2 mA/div，共20個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5
精度 2%讀數(shù)+ 0.05 × VERT/div設(shè)置值 + 1 nA 或更低
水平軸
集電極電壓 范圍 高電壓模式：50 mV/div - 500 V/div，共13個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5
- 高電流模式：50 mV/div - 5 V/div，共7個(gè)范圍，切換步進(jìn)為1-2-5
精度 2%讀數(shù) + 0.05 × HORIZ/div 設(shè)置值或更高
基極/發(fā)射極電壓 范圍 50 mV/div - 5 V/div，共7個(gè)范圍，步進(jìn)為1-2-5