薄膜電容器B32656S0105K562
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北京友盛興業(yè)科技有限公司
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TDK突波吸收電容
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7474K561,薄膜電容器B32656S2224K561, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S8155K566, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0105K563
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楊勇剛
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薄膜電容器B32656S0105K562
聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭，而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。
兩者的主要區(qū)別如下：
1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。
2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。
3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。
4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。
5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。
由于CBB電容性能更佳，但是價格更貴，因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：
1. 測損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。
2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風來進行試驗，先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值，
然后用吹風加熱電容器，再測電容值，若電容值變化過大，則為CL電容，反之為CBB電容。
薄膜電容有哪些用途？
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號傳輸
特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長期負載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途：旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時、電路振蕩器
特性：(1)優(yōu)異的抗脈沖能力；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)高容量穩(wěn)定性
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：專門設計用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性：
(1)低損耗，高阻抗，高耐壓；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)
高容量穩(wěn)定性，采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封，電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號傳輸
特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長期負載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器
TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術”用于高頻元件的工法中，同時 TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。
該產(chǎn)品能應用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術”用于高頻元件的工法中，同時實現(xiàn)了面向智能手機等高性能移動設備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設計，與以往產(chǎn)品相比達到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。
2）確認收貨前請仔細核驗產(chǎn)品質(zhì)量，避免出現(xiàn)以次充好的情況。
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