大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
價(jià)格面議2025-02-27 16:07:13
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大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀優(yōu)勢(shì)：
單臺(tái)最大3000V輸出；
單臺(tái)最大1000A輸出，可并聯(lián)后最大4000A；
10us的超快電流上升沿；
同步測(cè)量；
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；
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周鵬
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