數(shù)字源表測(cè)LDO芯片電性能
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數(shù)字源表測(cè)LDO芯片電性能
LDO，全稱(chēng)為“Low Dropout Regulator”，是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器，LDO具有成本低，噪音低，靜態(tài)電流小的特點(diǎn)，需要的外接元件也很少，因此,LDO廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)壓輸出的場(chǎng)景。
LDO常用的電性能參數(shù)測(cè)試，主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測(cè)試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù)，因此一般情況下，測(cè)試系統(tǒng)至少需要配置2臺(tái)SMU，并采用上位機(jī)軟件(PssSMUTools)進(jìn)行控制。
普賽斯S系列高精度數(shù)字源表，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體。產(chǎn)品最大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流量程低至100pA，支持四象限工作，因此,可廣泛應(yīng)用于LDO類(lèi)芯片測(cè)試。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六
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周鵬
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