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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0684K563

2.5元2022-01-21 01:24:19
  • 北京友盛興業(yè)科技有限公司
  • TDK突波吸收電容
  • MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656T2104K000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0684K563, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7564K566, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S1334K577
  • 楊勇剛
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0684K563

電容器的頻率特性是廠家所關注的一項重要指標,它關系到一個產品的設計成功與失敗。
它與電容器的使用材料和制造方法密切相關,選用不同的材料和方法所制造出來的電容器
產品性能的差異是巨大的,而電容器廠家會根據(jù)電容器的用途而去選用不同的材料和方法。
隨著施加于電容器兩端頻率的升高,電容器的損耗加大,容量降低,耐壓下降。而我們
生產的薄膜電容器,在出售之前都會進行頻率特性測試,下面介紹下我們的測試。

薄膜電容器工作頻率特性測試

1.選取一只聯(lián)接可調頻率電壓源上,將溫度傳感器堅固電容器上。

2.打開可調頻率電壓源,調度至適合的電壓值,頻率調度至最低,并用存儲示波器觀察波形。

3.垂垂升高頻率至30khz保持10分鐘并記錄溫度值,后每增加5khz保持10分鐘并記錄溫度值。

4.當達到80khz每次增加1khz 保持10分鐘并記錄溫度值,直至達到電容器最高工作溫度,停
止測試。


聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容,聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容,兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭,而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。

兩者的主要區(qū)別如下:

1. 在高頻條件下,CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下,CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小,在頻率為1kHz的條件下,一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001,而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好,優(yōu)于其他電容器,而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳,比如在容量小于0.33uF時,CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ,而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比,CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小,相同電壓,相同容量的情況下,
CL電容的體積可以做得比CBB電容小,這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳,但是價格更貴,因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容,光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同,推薦以下兩種方法供大家參考:

1. 測損耗值,若是小于0.001則為CBB電容,反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風來進行試驗,先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值,
然后用吹風加熱電容器,再測電容值,若電容值變化過大,則為CL電容,反之為CBB電容。

薄膜電容有哪些用途?
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號傳輸
特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產生;(5)長期負載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途:旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時、電路振蕩器

特性:(1)優(yōu)異的抗脈沖能力;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:專門設計用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性:
(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)
高容量穩(wěn)定性,采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產生(5)粉末包封,電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號傳輸

特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產生;(5)長期負載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性

TDK 薄膜電容器:額定電壓更高的堅固耐用型Y2電容器
TDK公司推出一系列應用于EMI抑制的新型愛普科斯 (EPCOS) MKP(金屬化聚丙烯)Y2薄膜電容器——B3203*系列電容器。與額定電壓為300 V AC的傳統(tǒng)型號相比,新型電容器的額定工作電壓高達350VAC,電容值范圍為4.7nF至1.2μF,可在嚴苛環(huán)境條件下確保穩(wěn)定的電容值。新型電容器均通過IEC 60384-14:2013/AMD1:2016認證,并按照“高濕度條件下III 級耐久性測試B”分類。這些電容器在溫度為85℃,相對濕度為85%,工作電壓為350V AC的環(huán)境條件下進行了溫度、濕度、偏置電壓 (THB) 測試,結果表明其電容量下降量不超過10%。新型電容器的最高工作溫度為110℃。

新型電容器獲得UL和EN認證,且符合AEC-Q200標準。不同型號的電容器的引腳間距會有不同,分別為15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*),具體視電容值而定。電容器的外殼和環(huán)氧樹脂密封的阻燃等級符合UL94 V-0標準的要求。

新型Y2電容器可用于頻繁遭受惡劣環(huán)境影響和額定電壓要求更高的濾波器(如光伏逆變器或車載濾波器),用于抑制電磁干擾。

主要應用

惡劣環(huán)境條件下(如光伏逆變器或車載濾波器)的電磁干擾抑制應用

主要特點和效益

額定電壓增大至350VAC
寬泛的電容值范圍:4.7nF到1.2μF
通過UL和EN認證

TDK集團新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器

TDK集團新推出超緊湊型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路,尺寸僅為40 mm x 58 mm(深x長),額定電壓為直流350 V DC,電容值為65 μF。這意味著,這款訂貨號為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度,可提供比同類競爭產品高出50%的電容量。此外,新電容器占用的印刷電路板 (PCB) 空間相對較小,且等效串聯(lián)電阻 (ESR) 僅為10 mΩ,紋波電流能力強,達3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹脂密封材料,均具備UL 94 V0的阻燃等級,工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設計,當溫度達到115 °C、電流達5 A時會自動跳閘。

其典型應用包括逆變器中的高頻濾波,如家用電器和一般直流應用中。

主要應用

逆變器的高頻濾波,一般直流應用

主要特點與優(yōu)勢

超緊湊尺寸:40 mm x 58 mm(深x長)

超高電容密度:0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 (ESR):僅10 mΩ

集成熱熔絲

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產。該產品能應用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產品。TDK電容產業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術”用于高頻元件的工法中,同時 TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產。

該產品能應用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產品。TDK電容產業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術”用于高頻元件的工法中,同時實現(xiàn)了面向智能手機等高性能移動設備和高頻模塊產品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過薄膜材料和最佳形狀設計,與以往產品相比達到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性,該本產品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。

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