深圳半導體硅片激光鉆孔微小孔加工
200元2022-11-29 08:02:34
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| 產(chǎn)地 | 北京 | 分類 | 硅片切割 |
| 切割加工最小縫隙 | 0.05mm | 加工厚度范圍 | 0.1--2mm |
| 加工方式 | 激光切割 | 品牌 | HE |
| 微信號 | 13011886131 | 服務范圍 | 全國 |
| 硅片大小加工范圍 | 300mm | 聯(lián)系人 | 張經(jīng)理 |
深圳半導體硅片激光鉆孔微小孔加工
硅片的分類：
硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；單晶生長方法：單晶硅片、多晶硅片；摻雜類型：N型、P型等參量和用途來劃分種類。
激光切割于傳統(tǒng)機械切割硅片相比，是一種行的加工方式，有一下幾點加工優(yōu)勢：
1、激光加工一步即可完成的、干燥對的加工過程。
2、邊緣光滑整齊，不需要后續(xù)的清潔和打磨。
3、激光加工的分離過程產(chǎn)生高強度、自然回火的邊緣，沒有微小裂痕。使用激光加工避免了不可預料的裂痕和殘破，提高了成品率。
激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問題。激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個脈沖通過光學整形，讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應，使得材料改性形成裂紋。每一個激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術可應用于藍寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導體晶圓。
超薄硅片打孔是一項非常精細的工序，因為硅片較薄，打孔的時候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實行激光打孔。其特點是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);
隨著硅半導體集成電路的廣泛應用，硅半導體集成電路都要用到晶圓，傳統(tǒng)的晶圓切割方法，都是手工采用金剛石刀進行切割，在晶圓上劃分出若干個圓環(huán)，在劃分出的圓環(huán)上切割出面積相等或者近似相等的小圓弧體?；蛘卟捎玫氖欠蔷鶆驁A環(huán)、同一圓心角內(nèi)進行切割的切割方法，這種晶圓切割方法的耗材大，經(jīng)常要更換刀具，切割出來的晶圓芯片相距的寬度比較大，不均勻，所能切割的材料單一，適用性差，效率低下。
因此晶圓激光切割的方法工作效率高、能精確地調(diào)整待切割晶圓的各個方向的位置、精度高、全自動運行，對晶圓切割的位置進行準確定位，切割出來的晶圓芯片均勻、美觀，能切割多種材料，適應性強，可以避免薄晶圓因切割破裂
晶圓是制造IC的基本原料，而晶圓便是硅元素加以純化，接著將這些純硅制成長硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導體的材料，再經(jīng)過照相制版、研磨、拋光、切片等程序，將多晶硅融解后拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
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