TDKEPCOS薄膜電容,薄膜電容器B32656S0474K565

電容器的頻率特性是廠家所關(guān)注的一項(xiàng)重要指標(biāo)，它關(guān)系到一個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)成功與失敗。
它與電容器的使用材料和制造方法密切相關(guān)，選用不同的材料和方法所制造出來的電容器
產(chǎn)品性能的差異是巨大的，而電容器廠家會(huì)根據(jù)電容器的用途而去選用不同的材料和方法。
隨著施加于電容器兩端頻率的升高，電容器的損耗加大，容量降低，耐壓下降。而我們
生產(chǎn)的薄膜電容器，在出售之前都會(huì)進(jìn)行頻率特性測試，下面介紹下我們的測試。

薄膜電容器工作頻率特性測試

1.選取一只聯(lián)接可調(diào)頻率電壓源上，將溫度傳感器堅(jiān)固電容器上。

2.打開可調(diào)頻率電壓源，調(diào)度至適合的電壓值，頻率調(diào)度至最低，并用存儲(chǔ)示波器觀察波形。

3.垂垂升高頻率至30khz保持10分鐘并記錄溫度值，后每增加5khz保持10分鐘并記錄溫度值。

4.當(dāng)達(dá)到80khz每次增加1khz 保持10分鐘并記錄溫度值，直至達(dá)到電容器最高工作溫度，停
止測試。

薄膜電容器在不同場合下的作用

薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的電容器，它主要被廣泛的使用在模擬信號的交連以及其他電源處。
薄膜電容器的工作原理：
通過在電極上儲(chǔ)存電荷儲(chǔ)存電能，通常與電感器共同使用形成LC振蕩電路，在電場中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲(chǔ)存。

薄膜電容器的優(yōu)點(diǎn)：
在電力電子線路中，薄膜電容主要作用是起著電力電流的一個(gè)緩沖以及箝位、諧振旁路以及抑制電源電磁的干擾
把薄膜電容用在旁路時(shí)，它的作用是降低直流母線的阻抗以及吸收來自負(fù)載的紋波電流，從而起到有效地抑制直流母線電壓在因負(fù)載突變而出現(xiàn)的波動(dòng)
當(dāng)該裝置用于諧振式變換器時(shí)，它能與電感一起實(shí)現(xiàn)諧振的功能
它所適用的溫度的范圍是比較寬的，受溫度的限制比較小
它的使用壽命超長，只要沒有損壞，幾乎是不會(huì)有使用壽命的限制，可以長期一直的使用
它屬于金屬化電極，具有自愈功能，在有小的損壞時(shí)，能夠自動(dòng)修復(fù)
在工作時(shí)，可以承受很高的電壓；在使用時(shí)，使用頻率特性比較良好

導(dǎo)致薄膜電容器失效的原因：
電容耐壓不夠?qū)е码妷簱舸┍∧?，?dǎo)致電容器失效
使用電流超過電容所能承受的大電流，導(dǎo)致電容器失效
電容器里面有空氣，導(dǎo)致失效
金屬化膜薄氧化，導(dǎo)致電容器失效

薄膜電容器應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)
首先要注意仔細(xì)觀察工作電壓的狀態(tài)，在工作電壓非常不穩(wěn)定時(shí)，就先不要使用薄膜電容器，之后再看電壓的變化速度，速度比較穩(wěn)定是即可使用，要滿足流過電容器的有效值電流和峰值電流。

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì)，與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。