封裝外形

平板形

極數(shù)

二極

DYNEX可控硅DCR890F60中頻爐器件量大從優(yōu)

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。
可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。
可控硅有三個(gè)----陽(A)、陰(C)和控制(G)，管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制加上很小的電流或電壓，能控制很大的陽電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
我們可以把從陰向上數(shù)的、二、三層看面是一只N管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽和陰之間加上一個(gè)正向電壓E，又在控制G和陰C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG2將產(chǎn)生基電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電電流IC2。因?yàn)锽G2集電與BG1基相連，IC2又是BG1的基電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電電流IC1送回BG2的基放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加到控制，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。
可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2)，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果E性反接，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了。
可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二管的重要特征。

可控硅調(diào)光器是業(yè)內(nèi)LED照明主流的受歡迎的一種傳統(tǒng)調(diào)光方式。該調(diào)光具有簡單便捷、易于安裝等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，所以在家居照明和工程項(xiàng)目中，比較受到歡迎?？煽毓枵{(diào)光器，一直以來市面上很多種工廠在生產(chǎn)，雖然品質(zhì)良莠不齊，各有千秋。但帶控制的，幾乎沒有；旋紐2.4G遙控一體可控硅調(diào)光器上市，可以說是填補(bǔ)了這一項(xiàng)空白，使得可控硅調(diào)光應(yīng)用起來更加科技化、智能化。
旋紐2.4G遙控一體可控硅調(diào)光器，具有三重優(yōu)勢特點(diǎn)：
一、該產(chǎn)品可以全電壓使用，85-265Vac輸入范圍，適用于全球任何地方；
二、支持旋紐、2.4G遙控兩種控制方式，調(diào)光流暢，方便實(shí)用，一舉兩得，輕松實(shí)現(xiàn)你想要的調(diào)光效果，大便終端客戶使用選擇；
三、2.4G遙控調(diào)光的多樣化，2.4G遙控面板，擁有多項(xiàng)功能選項(xiàng)，既可實(shí)現(xiàn)由0到100隨心所調(diào)，又提供有15%、25%、50%、75%、全亮五種階段調(diào)光選項(xiàng)，此外還可以按客戶要求定制不同檔位亮度比，上海聚肯真心服務(wù)客戶，為客戶所想！

可控硅有多種分類方法：
1、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種；
2、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅；
3、按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅；
6、過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅；
7、非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。

可控硅主要參數(shù)：電流
1、額定通態(tài)電流即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2、反向重復(fù)峰值電壓或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏；
3、控制極觸發(fā)電流，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安；
4、在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。

晶閘管的種類：
1、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種；
2、按引腳和性分類：晶閘管按其引腳和性可分為二晶閘管、三晶閘管和四晶閘管；
3、按封裝形式分類：晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和（快速）晶閘管。

晶閘管的注意事項(xiàng)：
1、在檢查大功率器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′，以提高測試電壓和測試電流，使可靠地導(dǎo)通；
2、要準(zhǔn)確測量的關(guān)斷增益，必須有測試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測。由于測試條件不同，測量結(jié)果僅供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)；
逆導(dǎo)晶閘管亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽與陰之間反向并聯(lián)一只二管，使陽與陰的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，快速晶閘管。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只即可代替晶閘管和續(xù)流二管各一只，不僅使用方便，而且能簡化電路設(shè)計(jì)；
逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（僅坐標(biāo)位置不同）。