品牌	ABB	封裝外形	平板形
極數(shù)	二極

WESTCODE平板晶閘管N520CH14安全可靠

可控硅有多種分類方法：
1、按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種；
2、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅；
3、按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅；
6、過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅；
7、非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，它有三個：陽，陰和門；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管的工作條件：
1、晶閘管承受反向陽電壓時，不管門承受何種電壓，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)；
2、晶閘管承受正向陽電壓時，僅在門承受正向電壓的情況下晶閘管才導通；
3、晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽電壓，不論門電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門失去作用；
4、晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關(guān)斷。

晶閘管的注意事項：
1、在檢查大功率器件時，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′，以提高測試電壓和測試電流，使可靠地導通；
2、要準確測量的關(guān)斷增益，必須有測試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結(jié)果僅供參考，或作為相對比較的依據(jù)；
逆導晶閘管亦稱反向?qū)ňчl管。其特點是在晶閘管的陽與陰之間反向并聯(lián)一只二管，使陽與陰的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導晶閘管的關(guān)斷時間僅幾微秒，工作頻率達幾十千赫，快速晶閘管。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只即可代替晶閘管和續(xù)流二管各一只，不僅使用方便，而且能簡化電路設(shè)計；
逆導晶閘管的符號、等效電路，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性，正向特性與普通晶閘管相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（僅坐標位置不同）。

晶閘管可工作的大頻率由其工作時的電流脈沖寬度，關(guān)斷時間以及從關(guān)斷后承受正壓開始至其再次開通的時間決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據(jù)工作頻率選取元件時必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq，并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高，元件正向損耗和反向恢復損耗隨之升高，元件通態(tài)電流須降額使用。

晶閘管的工作原理：
1、晶閘管具有單向?qū)щ娦裕赫驅(qū)l件：A、K間加正向電壓，G、K間加觸發(fā)信號；
2、晶閘管一旦導通，控制失去作用：若使其關(guān)斷，必須降低UAK或加大回路電阻，把陽電流減小到維持電流以下；
晶閘管的結(jié)構(gòu)：晶閘管由四層半導體材料構(gòu)成，它有三個：陽，陰和門。晶閘管是在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種大功率半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。