產(chǎn)地	北京	分類	硅片切割
切割加工最小縫隙	0.05mm	加工厚度范圍	0.1--2mm
加工方式	激光切割	品牌	HE
微信號(hào)	13011886131	服務(wù)范圍	全國(guó)
硅片大小加工范圍	300mm	聯(lián)系人	張經(jīng)理

上海集成電路硅片鉆孔微小孔加工

硅片激光加工設(shè)備的應(yīng)用：
激光劃片機(jī)主要用于金屬材料及硅、鍺、砷化鎵和其他半導(dǎo)體襯底材料劃片和切割,可加工太陽能電池板、硅片、陶瓷片、鋁箔片等,工件精細(xì)美觀,切邊光滑。采用連續(xù)泵浦聲光調(diào)Q的Nd:YAG激光器作為工作光源，由計(jì)算機(jī)控制二維工作臺(tái)，能按輸入的圖形做各種運(yùn)動(dòng)。輸出功率大，劃片精度高，速度快，可進(jìn)行曲線及直線圖形切割。

硅片的分類：
硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；單晶生長(zhǎng)方法：?jiǎn)尉Ч杵⒍嗑Ч杵?；摻雜類型：N型、P型等參量和用途來劃分種類。

晶圓是半導(dǎo)體產(chǎn)品與芯片的基礎(chǔ)材料，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的激光應(yīng)用工藝將會(huì)越來越多被發(fā)明出來，對(duì)于高精密的芯片產(chǎn)品，非接觸的光加工是最合適的方式。因此激光晶圓（硅片）切割的應(yīng)用會(huì)越來越多。

1.激光切割、劃片是非機(jī)械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。
2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對(duì)芯片的電性影響較小，可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。
4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。
5.激光可以切割一些較為復(fù)雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。
6.激光切割不需要去離子水，不存在刀具磨損問題，可連續(xù)24小時(shí)作業(yè)。
7.激光具有很好的兼容性，對(duì)于不同的晶圓片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。

激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問題。激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個(gè)脈沖通過光學(xué)整形，讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點(diǎn)區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng)，使得材料改性形成裂紋。每一個(gè)激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個(gè)改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機(jī)械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術(shù)可應(yīng)用于藍(lán)寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導(dǎo)體晶圓。

激光屬于無接觸式加工，不對(duì)晶圓產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力的作用，對(duì)晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點(diǎn)，聚焦點(diǎn)可小到微米數(shù)量級(jí)，從而對(duì)晶圓的微處理更具有優(yōu)越性，可以進(jìn)行小部件的加工；即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效地進(jìn)行材料加工。大多數(shù)材料吸收激光直接將硅材料氣化，形成溝道。從而實(shí)現(xiàn)切割的目的因?yàn)楣獍唿c(diǎn)較小，最低限度的炭化影響。