1：436nm g-line

可以滿足0.8-0.35 微米制程芯片的生產(chǎn)，對應設備有接觸式和接近式光刻機。

2：365nm i-line

同樣可以滿足0.8~0.35微米制程芯片的生產(chǎn)。設備于上相同。

早期的光刻機采用接觸式光刻，即掩模貼在硅片上進行光刻，容易產(chǎn)生污染，且掩模壽命較短。此后的接近式光刻機對接觸式光刻機進行了改良， 通過氣墊在掩模和硅片間產(chǎn)生細小空隙，掩模與硅片不再直接接觸，但受氣墊影響，成像的精度不高。

3：248nm KrF

工藝節(jié)點提升至350~180nm水平，在光刻工藝上也采用了掃描投影式光刻，即現(xiàn)在光刻機通用的，光源通過掩模， 經(jīng)光學鏡頭調(diào)整和補償后， 以掃描的方式在硅片上實現(xiàn)曝光。

4：193nm ArF

制程提升至65nm的水平。四代光刻機是目前使用廣的光刻機，也是具有代表性的一代光刻機。